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In beiden Fällen werden diese permanenten Veränderungen benutzt, um die Adresse der zu ersetzenden Leitung und die Adresse der dafür zu verwendenden redundanten Leitung einzuprogrammieren.

Die Anzahl der in einem DRAM-Design eingebauten redundanten Elemente beträgt etwa 1 Prozent.

Die Verwendung redundanter Elemente zur Korrektur fehlerhafter Speicherzellen darf nicht mit der aktiven Fehlerkorrektur auf der Basis von Paritätsbits oder fehlerkorrigierenden Codes (FEC) verwechselt werden. Die hier beschriebene Fehlerkorrektur über redundante Elemente erfolgt einmalig vor der Auslieferung des Speicherbauelementes an den Kunden. Nachträglich auftretende Fehler (Degradation des Bauelementes oder Übertragungsfehler im System) können damit nicht beseitigt werden.

Siehe auch: Speichermodul: ECC

Oftmals werden ganze Speichermodule mit den eigentlichen Speicherbausteinen verwechselt. Die Unterscheidung spiegelt sich in der Größenkennzeichnung wider: DIMMs misst man in Mebi- oder Gibibyte (MiB bzw. GiB), den einzelnen Modulchip auf dem DIMM dagegen in Mebi- oder Gibibit. Durch Fortschritte in der Herstellungstechnik können die Hersteller immer mehr Speicherzellen auf den einzelnen Chips unterbringen, so dass 512-MiBit-Bausteine problemlos verfügbar sind. Erst durch die Zusammenschaltung von einzelnen SDRAM-Chips entsteht ein Speichermodul, welches dem Standard entspricht.

| Jahr der Einführung | Burstrate (ns) | DRAM-Typ |

|---|---|---|

| 1970 | 60…350 | klassischer DRAM |

| 1987 | 40…50 | FPM-DRAM ( Fast Page Mode DRAM ) |

| 1995 | 12…30 | EDO-RAM ( Extended Data Output RAM ) [ 2 ] |

| 1997 | 0 5,5…15 | SDRAM ( Synchronous Dynamic RAM ) |

| Jahr der Einführung | Burstrate (ps) | DRAM-Typ |

| 1999 | 0 625…1875 | RDRAM ( Rambus Dynamic RAM ) |

| 2000 | 2500…5000 | DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM) |

| 2003 | 1000…1250 | GDDR2-SDRAM (Graphics Double Data Rate) |

| 2004 | 0 937,5…2500 | DDR2-SDRAM |

| 2004 | 0 380…710 | GDDR3-SDRAM |

| 2006 | 0 440…500 | GDDR4-SDRAM |

| 2007 | 0 375…1250 | DDR3-SDRAM |

| 2008 | 0 120…270 | GDDR5-SDRAM |

| 2012 | 0 187,5…625 | DDR4-SDRAM |

| 2016 | 00 70…100 | GDDR5X-SDRAM |

| 2018 | 00 70 | GDDR6-SDRAM |

| 2020 | 0 119…208 | DDR5-SDRAM |

Der erste kommerziell erhältliche DRAM-Chip war 1970 der von Intel vorgestellte Typ 1103. Er enthielt 1024 Speicherzellen (1 KiBit). Das Prinzip der DRAM-Speicherzelle wurde 1966 von Robert H. Dennard am Thomas J. Watson Research Center von IBM entwickelt.

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